品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:60A
导通电阻:5mΩ@30A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
输入电容:448pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
连续漏极电流:3.4A
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3027LFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:580pF@15V
阈值电压:1.8V@250µA
连续漏极电流:5.3A
功率:1W
栅极电荷:11.3nC@10V
导通电阻:18.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:549pF@50V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.8A
栅极电荷:10.6nC@10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3018SFG-13
导通电阻:21mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2.1V@250µA
连续漏极电流:8.5A
栅极电荷:13.2nC@10V
功率:1W
输入电容:697pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6013LFG-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.3A€45A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2577pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:55.4nC@10V
功率:1W
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7408SFG-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
功率:1W
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H065LFDF-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:115V
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@10V
功率:1W
输入电容:252pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
输入电容:448pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS3014SFGQ-7
导通电阻:14.5mΩ@10.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:19.3nC@10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:9.5A
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
输入电容:555pF@10V
漏源电压:20V
功率:1W
类型:N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:8.6nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.2A,10V
输入电容:448pF@15V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6013LFGQ-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.3A€45A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2577pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:55.4nC@10V
功率:1W
导通电阻:13mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4008LFG-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3537pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
连续漏极电流:14.4A
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
连续漏极电流:3.4A
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:6.6nC@4.5V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:549pF@50V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.8A
栅极电荷:10.6nC@10V
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7
栅极电荷:16.7nC@10V
输入电容:1155pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@9A,10V
连续漏极电流:60A
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: