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    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:710mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFV-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@50V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN0545GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:N沟道

    导通电阻:50Ω@100mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17GQTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17GQTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP7A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@40V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:70V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1009UFDF-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:219pF@30V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:390mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP4A16GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:26.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1007pF@20V

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3026SFDF-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3026SFDF-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1204pF@15V

    连续漏极电流:10.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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