品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVNL120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:228pF@50V
连续漏极电流:4.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:710mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:140mA
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@100mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:20.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2120GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@250mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.8V@1mA
栅极电荷:3.65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:72pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP7A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@40V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2.1A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1009UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:274pF@50V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A16GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:26.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@20V
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:3.45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:265mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3026SFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1204pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: