采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：23.4nC@8V
类型：N沟道
输入电容：995pF@6V
漏源电压：12V
连续漏极电流：12.2A
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：1.6A
输入电容：315pF@40V
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：23.4nC@8V
类型：N沟道
输入电容：995pF@6V
漏源电压：12V
连续漏极电流：12.2A
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2012
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：450V
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
包装方式：散装
功率：700mW
导通电阻：50Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：424pF@5V
导通电阻：38mΩ@5.8A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN0545A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：450V
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：90mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
功率：700mW
导通电阻：50Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：23.4nC@8V
类型：N沟道
输入电容：995pF@6V
漏源电压：12V
连续漏极电流：12.2A
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVNL110A
导通电阻：3Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
漏源电压：100V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
输入电容：75pF@18V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：424pF@5V
导通电阻：38mΩ@5.8A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106A
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
类型：N沟道
包装方式：散装
漏源电压：60V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110A
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
包装方式：散装
漏源电压：100V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3051L-7
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：424pF@5V
导通电阻：38mΩ@5.8A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：1.6A
输入电容：315pF@40V
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
输入电容：75pF@18V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
输入电容：75pF@18V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2Ω@1A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：1.6A
输入电容：315pF@40V
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300U-7
输入电容：193pF@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
漏源电压：100V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：1.6A
输入电容：315pF@40V
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110A
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
包装方式：散装
漏源电压：100V
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：1.6A
输入电容：315pF@40V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.6nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：1.6A
输入电容：315pF@40V
阈值电压：3V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-7
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：23.4nC@8V
类型：N沟道
输入电容：995pF@6V
漏源电压：12V
连续漏极电流：12.2A
阈值电压：1V@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1008UFDF-13
导通电阻：8mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：23.4nC@8V
类型：N沟道
输入电容：995pF@6V
漏源电压：12V
连续漏极电流：12.2A
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
