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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：8.58A
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导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMC3061SVTQ-7
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功率：880mW
阈值电压：1.8V@250µA€2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V€287pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.7A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
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输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMC3061SVTQ-7
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功率：880mW
阈值电压：1.8V@250µA€2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：278pF@15V€287pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.7A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
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连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMC3061SVTQ-7
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功率：880mW
阈值电压：1.8V@250µA€2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V€287pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.7A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
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功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMC3061SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1.8V@250µA€2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：278pF@15V€287pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.7A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
功率：880mW
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输入电容：1495pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
连续漏极电流：8.58A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3061SVTQ-7
输入电容：278pF@15V€287pF@15V
功率：880mW
类型：N和P沟道
阈值电压：1.8V@250µA€2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.4A€2.7A
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
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功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2016UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1495pF@10V
连续漏极电流：8.58A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：14.5mΩ@9.4A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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