品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,4A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
输入电容:568pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@4.5V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B14FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:568pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@4.5V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B14FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:568pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@4.5V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: