采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，610mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
输入电容：464.3pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040UVT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
输入电容：422pF@15V
连续漏极电流：3.8A€2.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：55mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG5802LFX-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：31.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.0664nF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：19.8nC@10V
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，2.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：150pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@4.5V，610mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，10mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：27.6pF@10V
连续漏极电流：500mA€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V€12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：27.6pF@10V
连续漏极电流：500mA€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V€12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
