品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.6A
功率:480mW
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:340mW
连续漏极电流:530mA
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
输入电容:17pF@16V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2310U-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
栅极电荷:700pC@4.5V
阈值电压:950mV@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.6A
功率:480mW
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
栅极电荷:10.2nC@4.5V
功率:900mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
功率:510mW
连续漏极电流:580mA
栅极电荷:800pC@8V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:4.3nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:35mΩ
连续漏极电流:4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
阈值电压:950mV@250μA
连续漏极电流:4.6A
输入电容:118pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
漏源电压:20V
栅极电荷:8.2nC@8V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2070UQ-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:44mΩ@2A,4.5V
阈值电压:950mV@250μA
连续漏极电流:4.6A
输入电容:118pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
漏源电压:20V
栅极电荷:8.2nC@8V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
输入电容:486pF@10V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:35mΩ
连续漏极电流:4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:1.2V@250μA
导通电阻:35mΩ
连续漏极电流:4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:4.2A
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
输入电容:727pF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
栅极电荷:7.6nC@4.5V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
栅极电荷:10.2nC@4.5V
功率:900mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:808pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
功率:510mW
连续漏极电流:580mA
栅极电荷:800pC@8V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:800pC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:580mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:800pC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:580mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040UVT-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:800pC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:580mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:800pC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:580mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.13W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: