销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:230mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1.287nF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@10V,4.3A
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:330mW
阈值电压:3.5V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:90mA
类型:1个P沟道
导通电阻:14Ω@10V,200mA
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1.287nF@25V
连续漏极电流:4.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:46mΩ@10V,4.3A
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: