品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:500pC@4.5V
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:1个P沟道
导通电阻:970mΩ@5V,100mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
输入电容:46.1pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:700mA
类型:1个P沟道
导通电阻:970mΩ@5V,100mA
功率:460mW
栅极电荷:500pC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
输入电容:46.1pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:700mA
类型:1个P沟道
导通电阻:970mΩ@5V,100mA
功率:460mW
栅极电荷:500pC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: