首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    工作温度
    连续漏极电流
    功率
    栅极电荷
    漏源电压
    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~+150℃
    连续漏极电流: 260mA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订数3000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订数500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订数500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:870pC@10V

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,200mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG301NU-13 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250μA

    栅极电荷:360pC@4.5V

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8LV-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:870pC@10V

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:2.8Ω@10V,200mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250μA

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,115mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧