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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.1A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：395pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：395pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26.9nC@10V
输入电容：1.055nF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：150mΩ@10V，2.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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