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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：37.6nC@10V
输入电容：1.79nF@20V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，3A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
