品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:9.4A€34A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:9.4A€34A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
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输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3011LDT-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:8A€10.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3011LDT-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:8A€10.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3011LDT-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:8A€10.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3011LDT-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:8A€10.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3011LDT-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:8A€10.7A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: