销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX603
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601BSTZ
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:带盒(TB)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BCX38C
集射极击穿电压(Vceo):60V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX605
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:150MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@1mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX705
集射极击穿电压(Vceo):120V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:160MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@2mA,2A
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):3000@1A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601STZ
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:带盒(TB)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):2000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX601B
集射极击穿电压(Vceo):160V
集电极电流(Ic):1A
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:250MHz
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@10mA,1A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZTX614
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):800mA
功率:1W
集电集截止电流(Icbo):100nA
工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.25V@8mA,800mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@500mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: