品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
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类型:N沟道
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功率:1W
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规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
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功率:1W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
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ECCN:EAR99
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规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361TU,LF
工作温度:175℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
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