品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:23nC@15V
包装方式:管件
输入电容:724pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:5.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:111pF@1000V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT33J
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:3.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@20V
包装方式:管件
输入电容:238pF@1000V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:3300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:5.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:111pF@1000V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: