销售单位：个

包装规格(MPQ)：250psc

规格型号(MPN)：GS61008P-MR

包装方式：Reel

栅极电荷：8nC

导通电阻：9.5mΩ

连续漏极电流：90A

阈值电压：1.7V

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

阈值电压：4.5V@900μA

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

功率：178W

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.194nF@400V

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：38A

ECCN：EAR99

导通电阻：55mΩ@18A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：10000psc

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

连续漏极电流：540mA

导通电阻：346mΩ

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

功率：360mW

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：55V

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

阈值电压：4.5V@900μA

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

功率：178W

栅极电荷：79nC@10V

输入电容：3.194nF@400V

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：38A

ECCN：EAR99

导通电阻：55mΩ@18A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

功率：116W

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：145mΩ

栅极电荷：28nC

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

连续漏极电流：1.9A

包装方式：Reel

功率：5W

阈值电压：2V

漏源电压：60V

栅极电荷：13.9nC

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：250mΩ

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1700psc

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

包装方式：Reel

功率：160W

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4.5V

连续漏极电流：24A

导通电阻：145mΩ

栅极电荷：28nC

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

导通电阻：439mΩ

栅极电荷：23nC

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：240psc

规格型号(MPN)：IPW65R125CFD7XKSA1

连续漏极电流：19A

包装方式：Tube

功率：98W

漏源电压：700V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4.5V

栅极电荷：36nC

导通电阻：125mΩ

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2

功率：62.5W

阈值电压：3.5V

包装方式：Reel

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：22nC

连续漏极电流：6A

ECCN：EAR99

导通电阻：660mΩ

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1700psc

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

包装方式：Reel

功率：160W

漏源电压：650V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4.5V

连续漏极电流：24A

导通电阻：145mΩ

栅极电荷：28nC

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2527}

销售单位：个

包装规格(MPQ)：268psc

规格型号(MPN)：SGB15N60

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.57mJ

包装方式：散装

集电极截止电流(Ices)：600V

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"23+"：6036}

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：BSZ0602LSATMA1

功率：69W

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

漏源电压：80V

阈值电压：1.7V

导通电阻：7.4mΩ

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：196520}

规格型号(MPN)：BSZ0901NSIATMA1

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：30V

功率：2.1W€69W

类型：1个N沟道

输入电容：2.6nF@15V

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.2V@250μA

连续漏极电流：25A€40A

ECCN：EAR99

栅极电荷：41nC@10V

导通电阻：2.1mΩ@20A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：10000psc

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

连续漏极电流：540mA

导通电阻：346mΩ

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

功率：360mW

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：55V

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

漏源电压：60V

连续漏极电流：200mA

栅极电荷：900pC@10V

工作温度：-55℃~+150℃

输入电容：32pF@30V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2750}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSR202NL6327HTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：500mW

阈值电压：1.2V@30μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.8nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.147nF@10V

连续漏极电流：3.8A

类型：1个N沟道

导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：2527}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SGB15N60

ECCN：EAR99

包装方式：散装

集电极截止电流(Ices)：600V

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.57mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：178W

阈值电压：4.5V@900μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.194nF@400V

连续漏极电流：38A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@18A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB60R055CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：178W

阈值电压：4.5V@900μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：79nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.194nF@400V

连续漏极电流：38A

类型：1个N沟道

导通电阻：55mΩ@18A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：127W

阈值电压：4.5V@630μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.513nF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：90mΩ@12.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ036NE2LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W€2.1W

阈值电压：2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：16nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1.2nF@12V

连续漏极电流：40A€16A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@20A，10V

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：196520}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0901NSIATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W€69W

阈值电压：2.2V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：41nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.6nF@15V

连续漏极电流：25A€40A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.1mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1