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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：27500，"20+"：17500，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：27500，"20+"：17500，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：27500，"20+"：17500，"MI+"：500}
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@80μA
工作温度：-40℃~+150℃
漏源电压：650V
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
功率：21W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
栅极电荷：9nC@10V
漏源电压：650V
输入电容：363pF@400V
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：6A
阈值电压：4V@80μA
功率：21W
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K0P7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@50μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
