采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"06+"：3700}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKP04N60XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：180ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGD04N60BUMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：9998}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGP04N60XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：9998}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGP04N60XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"06+"：3700}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKP04N60XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：180ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKD04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：90ns
反向恢复时间：80ns
关断损耗：40µJ
开启延迟时间：4ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，4A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKD04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：90ns
反向恢复时间：80ns
关断损耗：40µJ
开启延迟时间：4ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，4A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：9998}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGP04N60XKSA1
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：1000，"15+"：1499}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKB04N60ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
反向恢复时间：180ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKD04N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：90ns
反向恢复时间：80ns
关断损耗：40µJ
开启延迟时间：4ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，4A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKD04N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：90ns
反向恢复时间：80ns
关断损耗：40µJ
开启延迟时间：4ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，4A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGD04N60BUMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKD04N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：90ns
反向恢复时间：80ns
关断损耗：40µJ
开启延迟时间：4ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，4A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKD04N60RC2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：12A
关断延迟时间：90ns
反向恢复时间：80ns
关断损耗：40µJ
开启延迟时间：4ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，4A
导通损耗：100µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGD04N60BUMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：19A
关断延迟时间：237ns
关断损耗：131µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，4A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
