品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":875}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGP4790PBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:2.2mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":1660,"17+":58}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":875}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGP4790PBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:2.2mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":1660,"17+":58}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"19+":90}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKFW50N60DH3XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:212ns
反向恢复时间:64ns
关断损耗:610µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:210nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,40A
导通损耗:1.22mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":875}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGP4790PBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:200ns
关断损耗:2.2mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.7mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":1660,"17+":58}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1415}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGP4790DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:200ns
反向恢复时间:170ns
关断损耗:2.2mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1415}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGP4790DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:200ns
反向恢复时间:170ns
关断损耗:2.2mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":1660,"17+":58}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1415}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGP4790DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):225A
关断延迟时间:200ns
反向恢复时间:170ns
关断损耗:2.2mJ
开启延迟时间:50ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):400A
关断延迟时间:421ns
关断损耗:770µJ
开启延迟时间:30ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.7mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.7mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
关断损耗:770µJ
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极脉冲电流(Icm):400A
集电极截止电流(Ices):650V
开启延迟时间:30ns
工作温度:-40℃ ~ 175℃
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
包装方式:管件
关断延迟时间:421ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IPP023N10N5
阈值电压:2.2V
包装方式:Tube
栅极电荷:210nC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
连续漏极电流:120A
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IPP023N10N5
阈值电压:2.2V
包装方式:Tube
栅极电荷:210nC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
连续漏极电流:120A
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
生产批次:{"17+":875}
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):IRGP4790PBF
开启延迟时间:50ns
关断损耗:2.2mJ
ECCN:EAR99
关断延迟时间:200ns
栅极电荷:210nC
集电极脉冲电流(Icm):225A
集电极电流(Ic):2V@15V,75A
集电极截止电流(Ices):650V
导通损耗:2.5mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IGZ100N65H5XKSA1
关断损耗:770µJ
栅极电荷:210nC
类型:沟道
集电极脉冲电流(Icm):400A
集电极截止电流(Ices):650V
开启延迟时间:30ns
工作温度:-40℃ ~ 175℃
集电极电流(Ic):2.1V@15V,100A
导通损耗:850µJ
包装方式:管件
关断延迟时间:421ns
包装清单:商品主体 * 1
库存: