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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2552，"MI+"：1827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2552，"MI+"：1827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2552，"MI+"：1827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：2552，"MI+"：1827}
规格型号(MPN)：SPD50P03LGBTMA1
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：7mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
功率：150W
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
输入电容：6880pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
栅极电荷：126nC@10V
连续漏极电流：41A€100A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
功率：2.5W€96W
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：5800pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@12V
连续漏极电流：41A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
