品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:36A€232A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC060N10NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:15A€97A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD11DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@50V
连续漏极电流:3.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: