品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSI
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:4200pF@12V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.05mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6794MTR1PBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€100W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:47nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4420pF@13V
连续漏极电流:32A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@32A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€188W
阈值电压:2V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@12.5V
连续漏极电流:40A€479A
类型:N沟道
导通电阻:0.45mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
连续漏极电流:18A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS8242TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:653pF@10V
连续漏极电流:9.9A€21A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@8.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ014NE2LS5IFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@12V
连续漏极电流:31A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ011NE2LS5IATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@12V
连续漏极电流:35A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH4253DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:31W€50W
阈值电压:2.1V@35µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1314pF@13V
连续漏极电流:64A€145A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4195}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ013NE2LS5IATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@12V
连续漏极电流:32A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5250TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€160W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7174pF@13V
连续漏极电流:45A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
连续漏极电流:18A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:47A€310A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE006NE2LM5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€89W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5453pF@12V
连续漏极电流:41A€298A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC024NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@12V
连续漏极电流:25A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC050NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@12V
连续漏极电流:39A€58A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC026NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€29W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12V
连续漏极电流:24A€82A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€188W
阈值电压:2V@10mA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@12.5V
连续漏极电流:40A€479A
类型:N沟道
导通电阻:0.45mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":551}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:19A€39A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€78W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@12V
连续漏极电流:22A€84A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: