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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17500，"13+"：12500，"14+"：927500，"MI+"：73870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17500，"13+"：12500，"14+"：927500，"MI+"：73870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：6W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：5.7V@1mA
栅极电荷：5.9nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：468mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
