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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：231W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

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功率：2.5W

阈值电压：3.8V

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栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：100V

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包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

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功率：231W

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类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

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规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

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连续漏极电流：13A

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包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

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功率：231W

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栅极电荷：101nC

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连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

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栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGSCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

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包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

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生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1

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功率：197W

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栅极电荷：67nC

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类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

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功率：71W

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栅极电荷：19nC

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连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGSCATMA1

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功率：2.5W

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导通电阻：6.5mΩ

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生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

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功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

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包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：231W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

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包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT019N08N5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：231W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：101nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：247A

类型：MOSFET

导通电阻：1.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1

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功率：197W

阈值电压：3.8V

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栅极电荷：67nC

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连续漏极电流：170A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

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包装清单：商品主体 * 1