生产批次：{}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRLR3110ZTRPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：2.5V@100μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.98nF@25V

连续漏极电流：42A

类型：1个N沟道

导通电阻：14mΩ@10V，38A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：5.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：33A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRLB8743PBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：140W

阈值电压：2.35V@100μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：54nC@4.5V

包装方式：管件

输入电容：5.11nF@15V

连续漏极电流：78A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.2mΩ@40A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1