品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1976pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ021N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ021N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3 G
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3 G
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1976pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ021N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:25A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1976pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@20V
连续漏极电流:27A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@39µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":750}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP200N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP200N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP200N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: