品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406
工作温度:-55℃~+175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.55nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406
输入电容:2.55nF@25V
栅极电荷:32nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:75A
功率:58W
阈值电压:4V@26μA
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R400CEAUMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:112W
阈值电压:3.5V@300μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:14.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,3.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R400CEAUMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:112W
阈值电压:3.5V@300μA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@100V
连续漏极电流:14.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@10V,3.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: