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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R210P6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：19.2A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
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功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
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输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R190CFDAATMA1
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功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPL60R210P6AUMA1
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功率：151W
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栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@100V
连续漏极电流：19.2A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
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功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R190CFDATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R190CFDAATMA1
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功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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规格型号(MPN)：IPB65R190CFDAATMA1
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ECCN：EAR99
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输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17.5A
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连续漏极电流：19.2A
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导通电阻：210mΩ@7.6A，10V
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连续漏极电流：17.5A
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17.5A
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栅极电荷：37nC@10V
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连续漏极电流：19.2A
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导通电阻：210mΩ@7.6A，10V
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阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
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连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB65R190CFDATMA2
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功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
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栅极电荷：68nC@10V
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连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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连续漏极电流：17.5A
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导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R190CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：151W
阈值电压：4.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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工作温度：-40℃~150℃
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栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@100V
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导通电阻：210mΩ@7.6A，10V
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阈值电压：4.5V@730µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@100V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.3A，10V
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