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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R2K1CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD40DP06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：19W
阈值电压：4V@166µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD40DP06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：19W
阈值电压：4V@166µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：400mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K1CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：38W
阈值电压：3.5V@60µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2219，"16+"：25000，"17+"：5000，"18+"：141342，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R2K1C6SATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：21.6W
阈值电压：3.5V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@100V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@760mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152.7pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
