品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@80µA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@214.55µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:543pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@3.22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R600PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:3.5V@60µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:211pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:344pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":827}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@214.55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:543pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@3.22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@214.55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:543pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@3.22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD06N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:3.5V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:211pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4740,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO220N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@214.55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:543pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@3.22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@40µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD06N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:201pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207SPH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1007pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R900P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:7W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@214.55µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:543pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@3.22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: