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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
阈值电压：3.4V@23µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
阈值电压：3.4V@23µA
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
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栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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功率：2.5W€52W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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功率：2.5W€52W
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栅极电荷：25nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
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功率：3W€63W
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规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
阈值电压：3.4V@23µA
栅极电荷：28nC@10V
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连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
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栅极电荷：28nC@10V
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连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
阈值电压：3.4V@23µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
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功率：2.5W€52W
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
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功率：3W€63W
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栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
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功率：2.5W€52W
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1800pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC036N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€63W
阈值电压：3.4V@23µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@49A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC032N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€52W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：21A€98A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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