品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:4.5V@320µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.8V@36µA
输入电容:2080pF@40V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1
功率:83W
阈值电压:2.3V@36µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
类型:N沟道
输入电容:2100pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:14.6nC@4.5V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:4.5V@320µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@340µA
输入电容:790pF@100V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@340µA
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
栅极电荷:31nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1330pF@400V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1904
规格型号(MPN):IPD60R380C6
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:700pF@100V
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.6A
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@320µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R145CFD7ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@340µA
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
栅极电荷:31nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1330pF@400V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1904
规格型号(MPN):IPD60R380C6
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:700pF@100V
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.6A
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@320µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@340µA
输入电容:790pF@100V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}
规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K0CEATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
类型:N沟道
输入电容:785pF@100V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:3.9V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90R1K2C3ATMA2
功率:83W
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
阈值电压:3.5V@310µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:3.2nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
连续漏极电流:22A
导通电阻:65mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@1.04mA
输入电容:1600pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@340µA
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
栅极电荷:31nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1330pF@400V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
栅极电荷:9.4nC@18V
导通电阻:294mΩ@4A,18V
输入电容:312pF@800V
ECCN:EAR99
阈值电压:5.7V@1.6mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@350µA
漏源电压:600V
输入电容:790pF@25V
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF
功率:83W
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
输入电容:3890pF@25V
漏源电压:60V
连续漏极电流:85A
导通电阻:5.2mΩ@51A,10V
阈值电压:3.7V@100µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90R1K2C3
功率:83W
导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
连续漏极电流:5.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:4.5V@320µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: