品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4468PBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:520W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:540nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19.86nF@50V
连续漏极电流:195A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.6mΩ@10V,180A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,7.2A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2220
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.21nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU120NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.21nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44NLPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.47nF@25V
连续漏极电流:49A
类型:1个N沟道
反向传输电容:88pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,25A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2222
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,16A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2222
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,16A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2220
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.21nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2220
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.21nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2220
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.21nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP260MPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.057nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,28A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540ZPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2222
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,16A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.21nF@25V
连续漏极电流:84A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,50A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
栅极电荷:130nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:3.21nF@25V
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:84A
导通电阻:12mΩ@10V,50A
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF1010EPBF
栅极电荷:130nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:3.21nF@25V
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:84A
导通电阻:12mΩ@10V,50A
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: