品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
输入电容:430pF@100V
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
漏源电压:200V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
输入电容:88pF@25V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:5.5V@250µA
连续漏极电流:0.6A
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110N20N3LFATMA1
连续漏极电流:88A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
输入电容:650pF@100V
阈值电压:4.2V@260µA
导通电阻:11mΩ@88A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
输入电容:430pF@100V
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
输入电容:88pF@25V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5.5V@250µA
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
连续漏极电流:600mA
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
输入电容:88pF@25V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5.5V@250µA
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
连续漏极电流:600mA
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
连续漏极电流:660mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:14nC@5V
功率:1.8W
漏源电压:200V
阈值电压:1V@400µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
输入电容:430pF@100V
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
功率:96W
导通电阻:50mΩ@22A,10V
阈值电压:4V@60µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":6000,"23+":9000}
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
输入电容:88pF@25V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:5.5V@250µA
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7820TRPBF
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@2.2A,10V
阈值电压:5V@100µA
连续漏极电流:3.7A
功率:2.5W
输入电容:1750pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
功率:96W
导通电阻:50mΩ@22A,10V
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI4020H-117PXKMA1
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4.9V@100µA
输入电容:1240pF@25V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
功率:21W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
输入电容:88pF@25V
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:5.5V@250µA
连续漏极电流:0.6A
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
功率:2W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):5000psc
规格型号(MPN):BSC320N20NS3 G
包装方式:Reel
输入电容:2350pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:36A
功率:125W
导通电阻:32mΩ@36A,10V
阈值电压:4V@90µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
功率:96W
导通电阻:50mΩ@22A,10V
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5020TRPBF
输入电容:2290pF@100V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@150µA
类型:N-Channel
连续漏极电流:5.1A
导通电阻:55mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
漏源电压:200V
功率:3.6W€8.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
输入电容:430pF@100V
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3411}
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1
输入电容:1120pF@25V
功率:95W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
连续漏极电流:14.5A
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
阈值电压:4V@30µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7820TRPBF
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@2.2A,10V
阈值电压:5V@100µA
连续漏极电流:3.7A
功率:2.5W
输入电容:1750pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ22DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
输入电容:430pF@100V
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
漏源电压:200V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
类型:N沟道
输入电容:430pF@100V
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
连续漏极电流:11.3A
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
栅极电荷:8.7nC@10V
输入电容:680pF@100V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:0.6A
类型:N-Channel
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: