品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ12DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7820TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP297H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@400µA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:357pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP297H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@400µA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:357pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP297H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:357pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110N20N3LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4.2V@260µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@100V
连续漏极电流:88A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@88A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP297H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@400µA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:357pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3899,"23+":4444}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC22DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP297H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@400µA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:357pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5801TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@360mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC12DN20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@100V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@5.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4V@60µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: