销售单位：个

包装规格(MPQ)：6000psc

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

导通电阻：6.5mΩ

阈值电压：3.8V

连续漏极电流：13A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

输入电容：16nF@50V

功率：3.8W€375W

类型：1个N沟道

阈值电压：3.8V@275μA

连续漏极电流：354A€35A

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

栅极电荷：208nC@10V

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

生产批次：{"21+"：6574}

规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1

栅极电荷：67nC

包装方式：Reel

导通电阻：3.1mΩ

阈值电压：3.8V

连续漏极电流：170A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：197W

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

功率：83W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

阈值电压：2.2V

包装方式：Tube

栅极电荷：210nC

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

连续漏极电流：120A

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

生产批次：{"21+"：8258，"23+"：643}

规格型号(MPN)：IAUA180N10S5N029AUMA1

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

阈值电压：3.8V

导通电阻：2.9mΩ

栅极电荷：81nC

工作温度：-55℃~+175℃

功率：221W

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

输入电容：16nF@50V

功率：3.8W€375W

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：208nC@10V

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

阈值电压：3.8V@275μA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

输入电容：16nF@50V

功率：3.8W€375W

类型：1个N沟道

阈值电压：3.8V@275μA

连续漏极电流：354A€35A

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

栅极电荷：208nC@10V

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IPG20N10S4L-22

连续漏极电流：20A

栅极电荷：27nC

包装方式：Reel

导通电阻：20mΩ€20mΩ

阈值电压：1.1V

功率：60W

工作温度：-55℃~+175℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12

功率：94W

包装方式：Reel

阈值电压：1.1V

导通电阻：9.8mΩ

连续漏极电流：60A

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：49nC

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：7000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB70N10S3L-12

栅极电荷：60nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

阈值电压：1.7V

功率：125W

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：12mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

阈值电压：2.2V

包装方式：Tube

栅极电荷：210nC

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

连续漏极电流：120A

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

连续漏极电流：77A

导通电阻：8.2mΩ

阈值电压：3.8V

包装方式：Tube

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

栅极电荷：28nC

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

导通电阻：12.9mΩ

功率：71W

阈值电压：3.8V

包装方式：Tube

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：52A

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

栅极电荷：19nC

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

功率：83W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

包装方式：Reel

阈值电压：1.1V

导通电阻：6.6mΩ

连续漏极电流：90A

功率：136W

栅极电荷：75nC

工作温度：-55℃~+175℃

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N10S4L-22

工作温度：-55℃~175℃

功率：60W

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：2N-Channel

导通电阻：20mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2897，"22+"：123008，"23+"：3600}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：13897，"23+"：95}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG16N10S4-61

工作温度：-55℃~+175℃

功率：29W

阈值电压：3.5V@9μA

栅极电荷：7nC@10V

输入电容：490pF@25V

连续漏极电流：16A

导通电阻：61mΩ@16A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG16N10S4-61

工作温度：-55℃~+175℃

功率：29W

阈值电压：3.5V@9μA

栅极电荷：7nC@10V

输入电容：490pF@25V

连续漏极电流：16A

导通电阻：61mΩ@16A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTC015N10NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：3.8W€375W

阈值电压：3.8V@275μA

栅极电荷：208nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：354A€35A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1