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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，5.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：20nC@5V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：9.7A
阈值电压：4V@250μA
输入电容：330pF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
导通电阻：200mΩ@10V，5.7A
漏源电压：100V
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：20nC@5V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
导通电阻：185mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
