生产批次：{"23+"：9858}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：69W

阈值电压：1.9V@105µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：43.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3190pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：8.6mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0921NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：8.9nC€33nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0923NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10nC€18.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.8mΩ€2.1mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0921NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：8.9nC€33nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：9858}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：69W

阈值电压：1.9V@105µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：43.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3190pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：8.6mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0904NSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0910LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0924NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10nC€12.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.8mΩ€2.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0909LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：2.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0911LSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2V

栅极电荷：10nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：11432}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD40N03S4L08ATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@13µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：8.3mΩ@40A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0904NSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0904NSI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：17nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：4.6mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0924NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：10nC€12.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.8mΩ€2.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：9858}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ0905PNSATMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：69W

阈值电压：1.9V@105µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：43.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3190pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：8.6mΩ@20A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC0921NDI

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.5W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：8.9nC€33nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.9mΩ€1.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD090N03LGATMA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：42W

阈值电压：2.2V@250µA

栅极电荷：15nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1600pF@15V

连续漏极电流：40A

类型：N沟道

导通电阻：9mΩ@30A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1