品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
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功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
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栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
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品牌:INFINEON
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功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
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功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
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品牌:INFINEON
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工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1.976nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1.976nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
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工作温度:-55℃~+175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:123nC@10V
输入电容:2.159nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:75mΩ@10V,18A
漏源电压:200V
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工作温度:-55℃~+175℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@29μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1.976nF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
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