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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2370，"16+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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功率：28.4W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：40266，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6BKMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：28.4W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
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漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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功率：28.4W
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输入电容：200pF@100V
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类型：N沟道
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漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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功率：28.4W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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功率：28.4W
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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功率：28.4W
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输入电容：200pF@100V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：200pF@100V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：40266，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R1K4C6BKMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：散装
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
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连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：3.2A
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功率：28.4W
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漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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栅极电荷：9.4nC@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
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连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28.4W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
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类型：N沟道
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