品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7820TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@100V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N10NSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@750µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@100V
连续漏极电流:23.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R160P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@750µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@100V
连续漏极电流:23.8A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R180P6AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@750µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1965,"24+":2380,"MI+":1510}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD033N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@36A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR2905ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@36A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR2905ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@36A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1965,"24+":2380,"MI+":1510}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD033N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0901NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2905ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@36A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: