品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2022}
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:250V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:32mΩ@34A,10V
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:32mΩ@34A,10V
阈值电压:4V@90µA
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":152545,"24+":26689}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N028ATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
栅极电荷:29nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@24µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:2.86mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1781pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA600N25NM3SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@89µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA600N25NM3SXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:4V@89µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2300pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N-Channel
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N-Channel
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N-Channel
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N028ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:3V@24µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.86mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP320N20N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2022}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD600N25N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4020TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N-Channel
导通电阻:105mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6005,"MI+":5281}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD320N20N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: