品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R220M1HXKSA1
栅极电荷:8.5nC@18V
类型:N沟道
输入电容:289pF@800V
漏源电压:1200V
导通电阻:220mΩ@4A,18V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
包装方式:管件
阈值电压:5.7V@1.6mA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R060M1HXTMA1
栅极电荷:34nC@18V
包装方式:卷带(TR)
功率:181W
阈值电压:5.7V@5.6mA
输入电容:1145pF@800V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:83mΩ@13A,18V
连续漏极电流:36A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R030M1HXKSA1
功率:227W
阈值电压:5.7V@10mA
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2120pF@800V
包装方式:管件
导通电阻:40mΩ@25A,18V
栅极电荷:63nC@18V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R007M1HXKSA1
输入电容:9170nF@25V
功率:750W
连续漏极电流:225A
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:220nC@18V
阈值电压:5.2V@47mA
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷:110nC@18V
输入电容:4580nF@25V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
包装方式:管件
阈值电压:5.2V@23.4mA
功率:455W
连续漏极电流:127A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
连续漏极电流:48A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R010M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:187A
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:63mΩ@16A,18V
连续漏极电流:47A
输入电容:1527pF@800V
栅极电荷:46nC@18V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@15V
漏源电压:1200V
输入电容:1900pF@800V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:59mΩ@20A,15V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
栅极电荷:5.3nC@18V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
功率:60W
输入电容:182pF@800V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:350mΩ@2A,18V
阈值电压:5.7V@1mA
包装方式:管件
连续漏极电流:4.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R030M1HXTMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:63nC@18V
功率:300W
ECCN:EAR99
输入电容:2290pF@800V
阈值电压:5.7V@11.5mA
导通电阻:41mΩ@25A,18V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:63mΩ@16A,18V
连续漏极电流:47A
输入电容:1527pF@800V
栅极电荷:46nC@18V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R220M1HXKSA1
栅极电荷:8.5nC@18V
类型:N沟道
输入电容:289pF@800V
导通电阻:286mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
包装方式:管件
阈值电压:5.7V@1.6mA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R080M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":796}
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
栅极电荷:23nC@18V
阈值电压:5.7V@3.7mA
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R220M1HXKSA1
栅极电荷:8.5nC@18V
类型:N沟道
输入电容:289pF@800V
导通电阻:286mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:13A
包装方式:管件
ECCN:EAR99
阈值电压:5.7V@1.6mA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@15V
漏源电压:1200V
输入电容:1900pF@800V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:59mΩ@20A,15V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R040M1HXKSA1
功率:227W
栅极电荷:39nC@18V
输入电容:1620nF@25V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
连续漏极电流:55A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:54.4mΩ@19.3A,18V
包装方式:管件
阈值电压:5.2V@10mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷:110nC@18V
输入电容:4580nF@25V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
包装方式:管件
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
功率:455W
连续漏极电流:127A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R350M1HXKSA1
栅极电荷:5.3nC@18V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
功率:60W
输入电容:182pF@800V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:5.7V@1mA
包装方式:管件
连续漏极电流:4.7A
导通电阻:455mΩ@2A,18V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@15V
漏源电压:1200V
输入电容:1900pF@800V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:59mΩ@20A,15V
连续漏极电流:52A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R060M1HXTMA1
栅极电荷:34nC@18V
包装方式:卷带(TR)
功率:181W
阈值电压:5.7V@5.6mA
输入电容:1145pF@800V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:83mΩ@13A,18V
连续漏极电流:36A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:63mΩ@16A,18V
连续漏极电流:47A
输入电容:1527pF@800V
栅极电荷:46nC@18V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":810}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R140M1HXTMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:491pF@800V
导通电阻:189mΩ@6A,18V
栅极电荷:13.4nC@18V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R020M1HXKSA1
输入电容:3460nF@25V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
连续漏极电流:98A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:83nC@18V
导通电阻:26.9mΩ@41A,18V
包装方式:管件
阈值电压:5.2V@17.6mA
功率:375W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R020M1HXKSA1
输入电容:3460nF@25V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
连续漏极电流:98A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:83nC@18V
导通电阻:26.9mΩ@41A,18V
包装方式:管件
阈值电压:5.2V@17.6mA
功率:375W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R080M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:30A
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:63mΩ@16A,18V
连续漏极电流:47A
输入电容:1527pF@800V
栅极电荷:46nC@18V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:63mΩ@16A,18V
连续漏极电流:47A
输入电容:1527pF@800V
栅极电荷:46nC@18V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R014M1HXKSA1
栅极电荷:110nC@18V
输入电容:4580nF@25V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
包装方式:管件
阈值电压:5.2V@23.4mA
功率:455W
连续漏极电流:127A
包装清单:商品主体 * 1
库存: