品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":999,"19+":13500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:17A€57A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:17A€57A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:17A€57A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R600P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:4.5V@200µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:17A€57A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:17A€57A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1875,"13+":53000,"9999":25}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":73000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC052N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:17A€57A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":29186,"24+":38070}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1875,"13+":53000,"9999":25}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@75V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:557pF@100V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: