品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":33000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.9A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":33000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: