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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5053TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€8.3W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@50V
连续漏极电流：9.3A€46A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3950，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5053TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€8.3W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@50V
连续漏极电流：9.3A€46A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10038，"23+"：1464}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3950，"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R120P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：95W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@400V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@8.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：101W
阈值电压：3.5V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@500V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
