品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10945,"24+":3622}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ123N08NS3 G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€66W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:1700pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: