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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHM630TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€37W
阈值电压：1.1V@50µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10860}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1160}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHM630TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€37W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHM830TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€37W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2155pF@25V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHM630TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€37W
阈值电压：1.1V@50µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0902NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHM630TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€37W
阈值电压：1.1V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0902NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHM630TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€37W
阈值电压：1.1V@50µA
栅极电荷：62nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3170pF@25V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0902NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：21A€40A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ028N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€63W
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：21A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
