品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":6490}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
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输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":22786,"24+":9666}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
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类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
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连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0803LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2.3V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
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输入电容:1300pF@50V
连续漏极电流:9A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":22786,"24+":9666}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
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栅极电荷:45nC@10V
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输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2700,"23+":40000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
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栅极电荷:25nC@10V
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连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ120P03NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:3.1V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3360pF@15V
连续漏极电流:11A€40A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":6490}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2700,"23+":40000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€52W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: